QUI SOMMES-NOUS ?
Construisons ensemble un avenir de confiance
Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cybersécurité & Identité numérique. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.
Nos engagements, vos avantages
Dans ce cadre nous recherchons un :
Stage – Ingénieur sur l’optimisation de détecteurs quantiques par caractérisation de durée de vie de porteurs minoritaires (H/F) Basé à Palaiseau (91) – 5 mois
QUI ETES-VOUS ?
Gros plus, si vous avez des connaissances de fabrication en salle blanche et de la physique infrarouge.
Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez vos futures missions !
CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :
Ce stage s’inscrit au sein du III-V Lab, un laboratoire de recherche industriel constitué en Groupement d’Intérêt Economique par ses 3 Membres de tutelle : Thales, Nokia et le CEA. Le III-V Lab conduit des activités de recherche et développement sur les composants microélectronique et optoélectronique à base de semi-conducteurs III-V pour différents domaines d'applications (télécommunications, défense, sécurité, spatial etc.).
L’imagerie dans le proche infrarouge (1-2.5µm) possède de nombreuses applications comme l’aide à la conduite, la surveillance et la défense ou encore l’analyse chimique des objets d’une scène. En pratique la bande du proche infrarouge se borne à 1.65µm pour des raisons technologiques. Les détecteurs les plus performants et les plus répandus sont constitués de matériau III-V InGaAs. Ils possèdent une longueur d’onde de coupure à 1.65µm. De nouvelles applications comme l’observation de la composition chimique de l’atmosphère terrestre au-delà de 1.7µm ou le tri sélectif de déchets nécessitent des détecteurs qui couvrent toute la fenêtre proche infrarouge jusqu’à 2.5µm.
A ce jour, il n’existe pas encore de détecteurs en matériaux III-V établis avec les bonnes performances électro-optiques pour adresser la longueur d’onde de 2.5µm à des températures de fonctionnement non cryogéniques. Une filière technologique semble néanmoins se détacher : la filière GaSb, avec l’utilisation de matériaux quaternaires InGaAsSb ou de super-réseaux InAs/GaSb. Pour développer cette filière, l’objectif va être d’une part d’optimiser les conditions de croissance pour obtenir des matériaux de bonne qualité et d’autre part de déterminer une architecture détectrice performante pour répondre aux besoins des nouvelles applications.
Dans ce contexte, vos missions seront les suivantes :
•Etudier le dessin de la photodiode avec un code de dérive diffusion de manière à minimiser le courant d’obscurité et la tension de fonctionnement.
•Réaliser à l’aide de l’équipe d’épitaxie des couches de matériaux III-V par épitaxie par jets moléculaires (MBE) afin d’une part de valider le banc de mesure et d’autre part de mettre aux point les premières briques technologiques pour la réalisation du futur détecteur infrarouge.
Thales s’engage pour l’emploi et l’insertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre établissement Thales Research&Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant
Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.
Thales reconnait tous les talents, la diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !Ces entreprises recrutent aussi au poste de “Ingénierie matérielle”.
Carrières-sur-Seine